6G 통신용 파장가변 변조광원칩 기술

기술개요

• 6G 통신 서비스 수용을 위한 이동통신 프론트홀 시스템의 핵심부품인 파장가변 변조광원칩 기술로서, O-band내 약 20nm 이내의 파장가변 범위에 대해 최대 32채널 지원과 채널당 최대 100Gbps 동작이 가능한 칩과 관련 구현기술 제공

기술개발 목적 및 필요성

• • 현재 국내 이동통신 망은 10/25Gbps 기반의 WDM 망으로 운용중이며, AI, bigdata, Cloud computing 등 6G 서비 스 수용을 위해 채널수 확장과 채널당 변조속도를 증가시켜 네트워크를 대용량화를 시키고 있음

  
  

  • 향후 통신망 대용량화를 통한 본격적인 6G 적용과 함께 인벤토리 저감 및 운용망의 효과적인 채널 관리/통제를 위해 서는 파장가변이 가능한 광원칩 기술이 필요하며, 관련 표준단체인 SmartTunable MSA 목표의 조속한 달성과 향후 적용되는 범위를 감안하면, 16채널 이상의 채널지원과 동시에 채널당 50/100Gbps 이상의 변조속도를 제공하는 광 원칩 기술이 필요함

기술의 특징 및 장점

• • 본 기술은 파장가변 광원인 DBR LD(Distributed Bragg Reflector Laser Diode, 분포반사형 레이저 다이오드)와 광 세기 변조기인 EAM(Electroabsorption modulator, 광흡수 변조기)이 단일집적된 형태임

  - 가격, 크기, 안정성, 동작의 간편성 측면에서 가장 우수한 형태로 평가됨

  - O-band 20nm 이내의 파장가변 범위에 대해 최대 100Gbps 변조속도 동작칩 및 관련기술 제공

  
  

  • DBR-EAM은 광이득을 제공하는 Gain, 파장가변부인 PCS(phase control section, fine tuning), DBR(coarse tuning), 변조기인 EAM(modultion)으로 구성