금속 나노구조체 제조용 전이금속 칼코게나이드, 이에 의하여 제조된 금속 나노구조체, 이를 포함하는 전자기기 및 그 제조방법

개요

• 본 기술은 1T-phase TMD를 활용하여 초박형 금속 나노와이어를 합성하는 새로운 접근 방법을 제안함.

  이를 활용하여, 평균 직경 11.3 nm의 고품질 나노와이어를 성공적으로 합성하여 우수한 전기적 특성과 높은 투명도를 달성함. 

  또한, TMD 나노시트의 크기 조절을 통해 다양한 금속 나노와이어의 성장을 가능하게하여 기술의 확장성을 검증함.

특징

• • 금속성 1T’-phase TMD 나노시트는 전도성 및 촉매 특성이 뛰어나기 때문에 광전자공학, 에너지 공학, 바이오전자공학 등 다양한 연구 분야에 적용할 수 있는 잠재력을 지니고 있음.

  
  

  • 본 특허는 TMD의 층간 리튬 삽입을 통한 화학적 박리 방법을 사용하여 고효율의 1T-phase 단일층 WS2 나노시트를 수득하고, 이를 reducing 및 nucleating agent로 활용하여 평균 직경 11.3 nm의 매우 얇고 고성능의 구리 금속 나노와이어를 합성하는 기술을 소개함.

  
  

  • 금속성 1T-phase TMD 나노시트를 이용한 금속 나노와이어의 합성 메커니즘을 규명하고, 높은 투과성과 전도성을 지닌 고성능 투명 금속 나노와이어 전극을 제작함으로써 2차원 1T-phase TMD 나노시트가 차세대 착용 가능한 신축 및 유연한 나노 전자소자를 위한 고성능 투명 전극으로 활용될 수 있는 새로운 가능성을 제시함.

  
  

  
   

기술 경쟁력 우수성

• • 1T’-phase TMD 나노시트를 환원 및 핵형성제로 사용하여 평균 직경 11.3nm의 고품질 Cu 나노와이어를 합성하는 새로운 방법을 제안함. 성장 메커니즘을 조사하여 TMD 나노시트가 활성 가장자리에서 전하 전달을 촉진하고 구리의 환원을 도와 초박형 Cu 나노와이어 성장을 돕는 역할을 분석함. 나아가, 은 및 금 나노와이어를 합성하여 TMD 나노시트의 다양한 나노와이어 구조 성장 가능성을 입증함.

  
  

  • 또한, 높은 투과율, 낮은 시트 저항, 낮은 헤이즈 특성을 가진 고성능 Cu 나노와이어 전극을 제작하여 초박형 나노와이어 구조가 빛 산란을 최소화함으로써, 1T’-phase TMD 나노시트를 사용한 초박형 Cu 나노와이어 합성이 신축성 및 유연한 전기 소자로서의 응용성 가능성을 검증함.